5月27日，上交所科创板上市审核委员会完成审议，长鑫科技集团科创板IPO成功过会。这家国内规模最大、技术领先的DRAM一体化企业正式登陆资本市场，也成为中国大陆半导体存储产业发展的重要里程碑。长鑫科技2016年成立，深耕DRAM研发、制造与销售，依托跳代研发策略，顺利落地四代工艺平台，完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代，核心技术跻身国际先进行列。行业数据显示，无论

5月17日，上交所正式披露长鑫科技科创板IPO招股书（申报稿），国产DRAM龙头交出炸裂一季报，业绩增速与盈利规模刷新行业纪录，强势领跑全球存储赛道。2026年1-3月，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比暴增719.13%；净利润330.11亿元，归属于母公司所有者净利润247.62亿元，扣非后归母净利润263.41亿元，从去年同期亏损实现跨越式扭亏为盈。业绩爆发核心源于双重红利叠加：全球DRA

1月21日消息，权威分析机构Clarivate正式发布2026年度“全球百强创新机构”榜单，中国存储芯片龙头长鑫存储首次登榜，斩获国际创新领域重磅认可，引发行业广泛关注。值得重点关注的是，长鑫科技是本年度7家上榜的中国大陆企业中，唯一一家半导体存储企业，凸显其在国内存储芯片领域的创新标杆地位。据悉，“全球百强创新机构”榜单是衡量企业综合创新水平的国际权威标尺，评选标准严苛，评估维度涵盖技术影响力、

12月30日，国产DRAM龙头长鑫科技正式向上交所递交科创板招股书，拟募资295亿元，聚焦存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM技术迭代及前瞻技术研发，剑指全球市场更高份额。中金公司与中信建投担任此次IPO保荐机构。长期以来，DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，合计市占率超90%，我国本土自给率偏低。2016年成立的长鑫科技扛起国产替代大旗，突破关键核心技术并实现商业化量产，填补中国